万用表R×10K挡的电池电压只有10V左右，一般无法测量半导体二极管的反向击穿电压Ubr。建议采用兆欧表和万用表进行测量，电路如图1.5所示。VD表示被测二极管。将测量结果与手册中的规定值进行比较，即可判断管子的好坏。
若把图中的二极管极性颠倒一下，还可测出正向导通压降，进而区分出硅管与锗管。举例说明：选择ZC25—4型兆欧表，先后把MF30型万用表拨至500V挡(或100V挡)、1V挡。
实例1：测量一只2CP5型硅二极管的反向击穿电压为130V。查手册，此管的Ubr≥110V，证明被测管合格。另外测得其正向导通压降为0.65V，证明的确是硅管。
实例2：测量一只锗开关二极管2AK2。按120r／min的转速摇兆欧表，将二极
管反向击穿后从电压表上读出反向击穿电压为82V。查手册知，2AK2的反向击穿
电压Ubr=40V。实际Ubr值比规定值高一倍，说明出厂时该项指标留有较大余量。再把二极管改成正向接法，万用表拨至1V挡，仍按额定转速摇兆欧表，测出正向导通压降为0.28V，证明此管为锗管。 |
检测片装二极管的方法